Silicijumske epitaksijske podloge

Silicijumske epitaksijske podloge

Ove silikonske epitaksijske podloge su pedantnedizajniran za rast epitaksijalnog sloja, koji služi kao kristalni šablon visoke-čistoće za naprednu integraciju Power and Logic uređaja. Dizajnirane pomoću preciznog Czochralskog (CZ) povlačenja i ultra-poliranja, naše podloge osiguravaju beskompromisno površinsko okruženje. Ova glatkoća na atomskom-nivou je osnovni preduvjet za postizanje visokog{5}}kvalitetne homoepitaksijalne i heteroepitaksijalne taloženje u sljedećoj generaciji poluprovodnika.

Optimizirana površina za visoko-taloženje:Thekontrolirana površina i orijentacija kristalaoptimizirani su da obezbijede idealno okruženje za nukleaciju. Strogo regulišućiOff-ugao rezanja(dezorijentacija) sa preciznošću od mili stepena, olakšavamo korak{0}}mehanizam rasta toka. Ovo minimizira neusklađenost rešetke i sprječava stvaranje grešaka u slaganju i dislokacija navoja, što je bitno za stabilizaciju električnih karakteristika sljedećeg epi{2}}sloja.

Kontrolirana otpornost za izolaciju uređaja:Posebno dizajnirane za Power IC i analogne aplikacije, ove podloge nudestabilna svojstva materijalasa vrlo ujednačenim profilom dopanta. Ovo omogućava preciznu kontrolu nad supstratom-to-epi interfejsom, poboljšavajući izolaciju uređaja i smanjujući parazitski kapacitet u visoko-frekventnim i-naponskim okruženjima.

Visoka-termička otpornost:Svaka podloga je regulirana krutim tolerancijama za intersticijski kisik i metalne nečistoće kako bi se spriječilo auto{0}}dopiranje i termički indukovano savijanje. Njegova superiorna mehanička čvrstoćapodržava višestruke korake obrade uz minimalne varijacije, održavajući geometrijsku vjernost tokom ciklusa visoko-CVD (hemijsko taloženje pare) i brze termičke obrade (RTP).

Popularni tagovi: silikonski epitaksijski supstrati, Kina proizvođači, dobavljači, fabrika, silicijumski epitaksijski supstrati