Osovina od silikonskog kristala prvoklasnog-

Tehnička bijela papira: prvo-Kristal silikonske osovine za visoko-proizvodnje vafla

The Material Science of Czochralski (CZ) Growth & Thermal Field Symmetry

Kvaliteta poluvodičke pločice je unaprijed određena kristalnim savršenstvom njenog izvornog vratila. NašOsovina od silikonskog kristala prvoklasnog-uzgaja se pomoću naprednogMagnetic Czochralski (MCZ)proces. Primjenom kontroliranog horizontalnog magnetskog polja na talog silicija, potiskujemoMarangoni konvekcija (M{0}}protok), što je vodeći uzrok mikro-fluktuacija u koncentraciji kiseonika i distribuciji dopanta. Ovo rezultira "radijalnom homogenošću" koja osigurava konzistentan otpor i mehaničku čvrstoću od centra osovine do periferije. Rezultirajuća rešetka ima strogo kontroliranuIntersticijski kiseonikprofil, optimizovan za interno prikupljanje (IG) metalnih nečistoća tokom narednih -fab ciklusa na visokim temperaturama.

Inženjering baze poluvodičkih izvora

Uniformno poravnanje kristala (<100>ili<111>):Naše osovine se vuku s izuzetnom preciznošću, održavajući toleranciju orijentacije kristala. Ova tačnost orijentacije je neophodna za-epitaksiju visoke vjernosti i procese anizotropnog jetkanja koji su potrebni u proizvodnji naprednih logičkih i energetskih uređaja.

Minimalni defekti izvorne tačke (mikro-defekti):Kroz optimiziranu kontrolu brzine hlađenja (V/G odnos), minimiziramo stvaranjeJame porijeklom iz kristala (COP)i intersticijalnog-tip dislokacijske petlje. Ova kristalna struktura "bez praznine- osigurava da pločice isječene iz ove osovine pokazuju superiorni integritet oksida (GOI) i minimalnu struju curenja.

Kompatibilnost obrade za Advanced Fabs:Dizajnirano za-protočno rezanje i mljevenje, mehanička izdržljivost osovine i stabilan koeficijent termičke ekspanzije (CTE) osiguravaju minimalne gubitke izrezivanja i nulto kristalno klizanje tokom-brzine rezanja dijamantskom žicom.

Strateške aplikacije

Vrhunska proizvodnja vafla:Primarna sirovina za proizvodnju prvoklasnih 4-inčnih do 12-inčnih pločica za napredne IC i energetske poluprovodničke linije.

Napredni epitaksijalni rast:Pruža stabilan, rešetka{0}}usklađen izvor supstrata za uzgoj visoko{1}}kvalitetne Si-Epi slojeve za CMOS i BiCMOS aplikacije.

Visok-Rast rasta oksida:Optimizirana koncentracija kiseonika olakšava rast ujednačenih,-dielektričnih-oksida visoke čvrstoće.

Institucije za istraživanje i razvoj i specijalizovane fabrike:Prilagođeno-dopirane osovine (bor, fosfor, antimon) za specijalizovano istraživanje materijala i izradu prototipa električnih uređaja sljedeće{1}}generacije.

Popularni tagovi: Prvo-klasa silikonskog kristalnog vratila, Kina prvoklasnog-proizvođača silikonskih kristalnih osovina, dobavljači, tvornica